TIP31C Transistor BJT NPN 100V - 3A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 50. 

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver 

Principales Características: 

• Tipo de Encapsulado: TO-220
• Transistor complementario TIP32C
• Transistor equivalente a TIP31, TIP31A, TIP31B, NTE291
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector - Emisor (VCE): 100V
• Voltaje Colector - Base (VCB): 100V
• Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 3A
• Corriente Base (IB): 1A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 40W
• Ganancia Máxima (hFE): 50
• Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz